虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压细密，可是一般仍是选用参加添加剂的办法。热压添加剂有两类：一类与碳化硅中的杂质构成液相，经过液相促进烧结;一类是与SiC构成固溶体下降晶界能促进烧结。

  常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅，在烧结到2100度以上的温度下，生成高纯度、高细密的碳化硅陶瓷。

  反响烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按必定的份额混合压成坯体块,加热到1650度左右，经过气相与C反响生成。